第369章 技术大突破(1/4开启求支持)
重生之命当争 · 半亩南山
走机舱,比燕京更潮更阴冷钻脖。
顾松诺基亚1110开机,扭头赵鸿涛:“今连带,嫂怨怨?”
赵鸿涛摇头笑:“。”
顾松叹:“谁让今iss刚初八。演讲,做。”
赵鸿涛:“懂些,保护。”
话音刚落,顾松电话响。
“喂?”
赵鸿涛跟侧顾松背影,脚步容身形挺拔。,样已青春期点嫩劲,虽戴墨镜眼锋芒内敛,但举止气度。
迎似乎认,像合影样,赵鸿涛忙快步准备拦住。
“顾总!以签名吗?”
“顾总您,太巧,幸机场遇您,名片,希望合。”
“顾总!顾总!以留电话吗?哥部科技博士,特别崇拜您!”
顾松熟练微笑跟点头,赵鸿涛开路迅速往走,边听电话汇报。
两男动足够敏捷,摆脱群径直往停车场走。
“廖总联系?”顾松电话问。
电话头,林耀东兴奋:“,但边验证结果跑5遍,应该问题。”
顾松笑:“!把结果整理,等直接廖总。”
挂完电话,赵鸿涛满脸笑容,情。样,很消息。现顾总,像样放开笑容并以。
两停车场,赵鸿涛接属递车钥匙,:“今开始休息,初六机场报。”
属点点头,等车才走。
“芯火科技吗?”
顾松点点头,开始闭目养神。
开之,想想博士课题选择哪。
,燧石科技系列论文加持,早05夏本科读满提毕业。
篇浸润式光刻技术论文,专论口径投影物镜设计案,非常顺利走完冬季论文答辩。
尽管硕士期,但扎扎实实篇论文,毋庸置疑通审验。篇论文,凝聚顾松牛俊明边近3血。
燕,本准备直接授等力博士。
但顾松觉现基础期,继续读。再开之,开始读博。篇博士论文,顾松觉应为转折节点。
间,黑科技百科全书度条已满100%,但并解锁什新东西。
许,需等神植入模拟信息系统重启之,才现。
但顾松已确课题。
已再伪霸。间苦读,燧石研究院齐全设备海量资金资源供调配,掌握知识,已超代。
正因,03开始立项dra项目,终够现开花结果。
挂跟挂,效果差距。
工智谢茵答疑,几月间搞3dnand。dra项目每技术攻关,真需倪光北、林耀东顾松磨。
课题科研需求驱动,顾松硬背完整本黑科技百科全书,甚至吃透些类目知识。
益,dra项目才终果。
终啊!
真怨些领域内技术步慢,实基础太薄弱。
顾松己理解完黑科技百科全书提解摸索挂,才05“突飞猛”,最终搞项目。
以怨笑特别开,真点感。
车很快芯火科技。
除原期厂房,栋新厂房已修。
廖青山迎楼门口。
“青山,老婆孩边活习习惯?”
廖青山笑:“挺,她觉梨湖边很惬意。”
顾松哈哈哈拍肩膀门。
05,由燧石科技带连锁反应,湾岛芯片业调查提演,导致曹星辰提辞职。廖青山现身份异常敏感,听顾松劝把老婆孩接武湖。
“今情很啊,消息?”
顾松笑:“ddr4lpddr.”
廖青山脚步停:“4?”
顾松点点头。
ddr4按正常间节点,现才刚开始研究,5才开始入量产阶段。现市,ddr2才刚刚普及,各厂商才提己ddr3解决案,连ddr3标准布。
专门适智手机样移动计算设备低电压lpddr,它第代标准本2009才拿。
怪廖青山走动。
“……期厂房?”廖青山确问。
顾松笑:“等咱己浸润光刻机,直接产内存。”
廖青山愣几秒才开始迈腿喃喃:“牛逼。”
顾松拍拍肩膀:“完跟iss震震。”
廖青山舔舔嘴唇,刺激样。急问:“流片呢?”
“倪院士边联系。流片直接等3月份专项科研基金项目验收完,运抵边之咱浸润光刻机做。”
“……太牛逼……”廖青山想湾积电边才,现以立刻玩玩浸润光刻机。
边走边问:“咱机器,xt1700i相比怎样?”
现,asl第代浸润光刻机做,刚刚才布。双工台,1.2数字孔径,以45纳米制程每加工122片12寸晶圆。
顾松笑:“玩样。参数,比xt1700i差些。新玩意,手程,优势最技术支持!”
廖青山请顾松坐办室沙,边倒热水边问:“65纳米?每以加工少片?”
顾松叹气:“制程块做45纳米量产,尖端机床才,工艺水平段间才赶。虽双工台,但加工12寸晶圆,达70片水平吧。”
“已很牛逼,已很牛逼。”廖青山端水手点抖。
顾松赶紧接,喝口觉暖。
真磨机啊。沪海微电装备集全相关单位之力,半间才完套浸润式光刻魔改案,舰科技边试验功。半间,才把台浸润式光刻样机搞。
顾松全程帮做攻关情况。
尖端机床样,四机床厂,汇聚最顶尖力量,才弄台“尖端”机床。
仍落现世界顶尖水平两代差距。
办,虽控制系统等等些软,顾松提供最优秀案。但材料关,现工艺够。靠台已实现飞跃式展机床,再迭代更高端机床,完全达初预期设计目标。
因为工智谢茵线,初份庞精密仪器及机械专项科研计划,做做完,部,规格却达初预期设计高度。
,顾松感觉已。
殊知,全相关领域科研院企业,感觉停。
马,最终验收间点,场总结绩果果议。06春节,很。
廖青山终收拾情绪,笑:“老板,厂房?”
顾松摆摆手:“。盯,放。”
廖青山陪喝水,问:“iss因为咱3d闪存邀请?”
顾松笑呵呵:“啊,04投产第批3d闪存,咱拿250纳米制程,单颗芯片容量4g。虽星量产2d芯片4g,但本比咱低。05量产8g,但咱翻8倍32g,世界慌嘛。”
廖青山感叹:‘现才理解,初把工艺已储备什程度。东芝现苦啊。咱已做130纳米,8层存储单元加4层封装。东芝05拿,180纳米制程,3层存储单元2层封装。今以推12层存储单元加4层封装,at1100魔改再推65纳米制程,东芝赶速度咱突破速度快!”
顾松嘿嘿笑,按承诺,给东芝8寸晶圆,500纳米制程底,2层存储单元加2层封装工艺,本身消化完原始技术花间。,制程工艺积累深厚,很快推180纳米制程,但慢。
“全靠衬托!今把工艺提,本降,优势更。”
廖青山信满满:“许总边已试产久,牛总边把设备准备。春节期间边改装调试,明3d闪存制程工艺突破!”