第407章 真假1微米（2）
重生之北国科技 · 冰城之光
半导体加工工艺，本质硅晶圆，断曝光，蚀刻程。
工艺提升程，曝光底片图案，断增密程。
传统印象，底片增密，底片精度提高程。增密底片图案，除提高光刻机精度，别办吗？
常活，恰例，套色印刷(或彩色打印）。
色墨水，每打印精度相，但色重合打印，单色变彩色！
颜色精度，单色8位，升256位！
2005之，由工艺制程提升，最辨特征尺寸（rf）已远远光源波长，利duv光刻机已次刻蚀型。
既次刻蚀型，刻蚀几次，每次刻蚀部，拼凑最终图案。
每部图形加工程，原加工设备，但它以实现更高精度芯片加工。
它《重图案化技术》！
《重图案》图形，离两或部。每部按照通常制程制。整图形最再合并形最终图层。
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按照理论，图形精度简直以限割。
但实际，案它局限。
光刻机，做极限，因为光波波长缘故。
图案割，做最，问题。
光罩图形线宽尺寸接近光源波长，衍射明显。
光刻机内部光路光线俘获力限，果足够量达光刻胶，光刻胶充反应，使尺寸厚度达求。
续显影、刻蚀工艺应，导致工艺失败。
以，步7n，做。因为原理现问题。
7n之，必须使euv（深紫）光刻机，禁运光刻机，理。
阶段（1微米），它问题。阻碍晶圆工艺步原因，产设备，工艺，原理。
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任何情利弊。
技术优点非常突。需改变现设备，或做很少改变，以达提高晶圆工艺求。
但弊端很突。
第弊端，麻烦。
技术思想雏形，第次现130n阶段，第次完整现，则30n阶段。
为什现晚？
每图层，解，想想麻烦很啊。，完全办办。
换高精度光刻机及配套工艺，解决嘛！30n之，基本往向思考原因。
次，本。
加工块芯片需加工工序数目增加。原次加工步骤，现两次，甚至四次才以。
商芯片制造，很致命。
例，果采次加工，良品率为7。完全以接受数字。但次加工，改四次加工候，整工艺良品率降2。
重图案核，把张图片解张。存图片互相校准问题。以，实际产程，采工艺以，良品率极降低。
刚才例数据计算，良品率，7，降！
英特尔之以10n节点，耗费接近5间，跟重四图案曝光（saqp）良率较低，关系。
芯片厂，良品率饭碗。
果14n候，芯片本300美元。升级芯片产工艺目，因为程越高，占晶圆积越。采新工艺，芯片产本，降低。样功芯片，它本10n代，应该降为150美元才。
但工艺，增加工序数目，实际已增加芯片加工本。再加良品率问题，采新产芯片，弄本高300美元。
情况，为什量产10n?
intel占据垄断位候，表现更为突。ppu连续，速度根本怎提升根本原因。
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但理由，全彩效，光电效。
全彩，乃至光电，并间芯片司，10n工艺解决问题，死问题。
花为样。花为卖芯片吗？
！卖5g系统！
300美元芯片，几万美元系统卖！，死路条！
程升级，节省150美元本。它价值几万美元！
全彩样理。几美元芯片，千美元显示器卖！款芯片，代表仅仅几美元加工本。
情况，良品率3，1，甚至百之，必须。
，良品率需提高。
良品率提高，磨耐，磨间程，什。
led代，历，ld，现正历。信。
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“真东西啊！项目做，牛b啊！”
老乡黑板，顿比比划划，两听明白。
项目果做。它影响力实太。
tft-ld，以，做，填补内空白，别夸。但绝意识难度真。
但晶圆样吗？
微米卡久？
1微米技术攻关，531计划期（1986），提。等908工程投产，已1997情。
两级计划，整整走11！现，1992，已走6。
且更重，技术极限，仅仅2微米设备产1微米芯片。理论讲，它甚至以实现0.5微米！
连909计划需！
级计划！
继续提高以，例0.25微米？
呵呵！
凭技术，以半导体工艺，实现世界先水平反超！
更重，技术需什开本吗？
设备，现设备啊！
项目做，仅仅永兴，包括严亮叶静，名声噪。次搞工程院院士，绝问题。